面向今期必中三码84948挂牌选代日益增多的需求,今期必中三码84948挂牌将材料基因组高通量技术与今期必中三码84948挂牌研发结合,自主研发一套8英寸全晶圆高通量集簇设备,形成完整的高通量制备与快速表征能力,实现在不破坏真空情况下,单一晶圆在单腔体或多腔体内连续开展多个区域的薄膜沉积,可匹配先进工艺生产线进行后续实验,并在XPS腔进行成分,价态等材料性能的精确表征,可用于支撑5G高频芯片、新型存储器、量子器件等新型功能材料的发现和应用。
高通量设备服务能力一览
高通量物理气相沉积(Physical Vapor Deposition , PVD)腔
🔵 旋转基板,兼容高温(室温至800°C)
🔵 物理隔离,旋转工作台与挡板配合
🔵 支持多靶共溅
高通量原子层沉积(Atomic Layer Deposition , ALD)腔
🔵 高温兼容(室温至450°C)
🔵 非物理隔离，气帘隔离
🔵 旋转工作台与喷淋结构结合
🔵 区域隔离沉积
高通量X射线光电子能谱分析测试(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)腔
🔵 大尺寸全晶圆 & 旋转工作台
🔵 测试范围覆盖8英寸晶圆
🔵 配备UPS,可测量功函数,进行先进集成电路金属栅极和金属接触材料
🔵 预留Auger接口,快速元素组分表征和一定成像能力
设备特点
🔵 集成高通量PVD、高通量ALD、XPS检测
🔵 基板尺寸8英寸,匹配先进工艺生产线，大幅降低材料筛选成本
🔵 集簇设备工作时不破坏真空环境,工艺连续性好，且薄膜沾污少
🔵 PVD支持多靶共溅、多点隔离沉积、高温反应沉积（最高800°C）
🔵 ALD支持多点隔离沉积、衬底加热可达450°C
🔵 XPS测试腔配置自动旋转工件台，可以实现X-Y-Z-R运动，满足整个wafer表面的测试需求
高通量服务能力一览
应用案例
✔ 支持多靶共溅
✔ 兼容高温生长（最高800℃）
✔ DC+RF sputter
✔ 支持反应溅射（O2、N2）
案例：压电材料AlN及掺杂研究
▪ 对气压、气体组成、温度、功率等参数进行组合，通过10余组高通量实验，每组设计数量不等的工艺参数组合，筛选出较好晶体质量的AlN薄膜。
▪ 开展Sc掺杂AlN的高通量实验，成功制备出Sc含量高达20%的AlScN薄膜，薄膜整体呈现良好的c轴择优取向，测得d33＞10pC/N。
✔ 支持氧化物、氮化物
✔ 衬底温度最高450℃
✔ 3个源位
✔ 单个区域有效面积直径达40mm
8英寸高通量Al2O3实物
膜厚分布
案例：热生长Al2O3
▪ TMA+H2O, 200°C, 200 cycles
▪ 平均速率1Å/cycle
▪ 区域内均一性优于2.5%，区域间重复性优于2%
⬇每个区域膜厚数据
✔ 测试范围覆盖8英寸晶圆
✔ 机械位移分辨率5μm，光斑≥50μm
✔ 材料元素成分/组分/价态测试
✔ 材料价带谱/逸出功
✔ 膜层刻蚀/深度剖析
✔ 兼容小样品测试
案例1:材料逸出功测量
案例2：导电性差样品测试-以SiN为例
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